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Commande à semi-conducteur interne de haute performance du disque transistorisé 3.5mm de MI PCIe 2280 M.2 NVMe

Informations de base
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: faspeed
Numéro de modèle: MI9V
Quantité de commande min: 100pc
Détail Infomation
Nom: Disque transistorisé de Faspeed Facteur de forme: M.2 2280
Interface: PCIe Gen3 ×4, NVMe Capacité: 512GB, 1TB
Dispositifs compatibles: Ordinateur portable, bureau Dimensions: 80mm x 22mm x 3.5mm
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Disque transistorisé de MI 2280 M.2 NVMe

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3.5mm disque transistorisé de 2280 M.2 NVMe

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commande à semi-conducteur de haute performance de PCIe


Description de produit

commande à semi-conducteur interne faspeed de haute performance de disque transistorisé PCIe 2280 principaux de la série m.2 NVMe de MI

 

  • Le facteur de forme du contrat M.2 2280 est la solution idéale de stockage pour les ordinateurs portables ultra-minces et ultra-petits
  • Interface de grande vitesse de NVMe PCIe Gen3x4 - la vitesse lecture/écriture séquentielle peut atteindre jusqu'à 1600/1000 MB/s qui réduisent les retards du système d'exploitation et du jeu/du logiciel.
  • Performance ultra haute - la représentation de transfert est 5 fois plus haut que l'interface de SATA III. Capable de la lecture et d'écrire un grand nombre de données de jeu, de graphiques complexes et de mouvement traitant des algorithmes, ou chargeant vidéo/graphiques résistants éditant le logiciel.
  • Spécifications M.2 2280 : Soutient les plates-formes de la deuxième génération d'Intel et d'AMD. Approprié au bureau et au carnet
  • Soutient SLC cachant la technologie. Augmentez considérablement la représentation de calcul

Coordonnées
sales

Numéro de téléphone : +8613828781493

WhatsApp : +8613828781493